网站首页
数据分类
技术展示
项目产品
任务中心
科创中心
网站首页
数据分类
技术展示
项目产品
任务中心
科创中心
炬丰科技
JUFENG DATA
登录
|
注册
400-8798-096
24小时服务热线:
泛半导体设法技术
集成电路、平板显示、LED、太阳能电池、分立器件以及半导体设备材料产业的相关工艺数据。
《炬丰科技-半导体工艺》 化学品对硅片上金属污染的影响
《炬丰科技-半导体工艺》 化学品对硅片上金属污染的影响
《炬丰科技-半导体工艺》 化学品对硅片上金属污染的影响
对来自不同供应商的化学品进行了清洁后残留在硅晶片上的金属污染水平的测试。在调查过程中,评估了来自三个供应商的盐酸和氢氧化铵以及来自四个供应商的过氧化氢。在 RCA 标准溶液中清洗晶片,然后测量颗粒计数和...
对来自不同供应商的化学品进行了清洁后残留在硅晶片上的金属污染水平的测试。...
对来自不同供应商的化学品进行了清洁后残留在硅晶片上的金属污染水平的测试。在调查过程...
阅读量:286
· 半导体抛光技术及抛光液
· 半导体抛光技术及抛光液
· 半导体抛光技术及抛光液
最初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末,一种新的抛光技术——化学机械抛光技术(CMP Chemical Mechanic...
最初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但...
最初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等,但是得到的晶...
阅读量:186
· 自动显影机处理槽清洗技术
· 自动显影机处理槽清洗技术
· 自动显影机处理槽清洗技术
阅读量:183
· 硅的湿法刻蚀工艺研究现状
· 硅的湿法刻蚀工艺研究现状
· 硅的湿法刻蚀工艺研究现状
随着电子元器件的小型化发展,微机电系统(MEMS)已成为制作微机械、传感器、控制电路等微器件及其集成于芯片的关键技术。由于芯片的集成和制造多以硅为基体,作为硅基体加工中最基础、最关键技术的硅的湿法刻蚀工...
随着电子元器件的小型化发展,微机电系统(MEMS)已成为制作微机械、传感...
随着电子元器件的小型化发展,微机电系统(MEMS)已成为制作微机械、传感器、控制电...
阅读量:165
《炬丰科技-半导体工艺》 RCA清洁变量对颗粒去除效率的影响
《炬丰科技-半导体工艺》 RCA清洁变量对颗粒去除效率的影响
《炬丰科技-半导体工艺》 RCA清洁变量对颗粒去除效率的影响
在湿化学加工中,制造需要表面清洁度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工艺参数,特别是对于常见的清洁技术RCA clean (SC-1和SC-2) [2]。本文讨论了表面处理参数的特点及其影响。硅技术中...
在湿化学加工中,制造需要表面清洁度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工...
在湿化学加工中,制造需要表面清洁度和表面光滑度。有必要完美地控制所有工艺参数,特...
阅读量:158
《炬丰科技-半导体工艺》 化学品供应流量对湿式清洁槽中颗粒去除能力的影...
《炬丰科技-半导体工艺》 化学品供应流量对湿式清洁槽中颗粒去除能力的影...
《炬丰科技-半导体工艺》 化学品供应流量对湿式清洁槽中颗粒去除能力的影...
在总化学物质供给量不变的情况下,具有间歇化学物质供给和频繁流量变化的湿式清洁浴对于改善清洁性能是相当有效的。使用间歇化学品供应表明节省了化学品消耗,这是环境友好的,并且具有高通量过程。当晶片以宽间距和窄...
在总化学物质供给量不变的情况下,具有间歇化学物质供给和频繁流量变化的湿式...
在总化学物质供给量不变的情况下,具有间歇化学物质供给和频繁流量变化的湿式清洁浴对于...
阅读量:147
《炬丰科技-半导体工艺》 砷化镓:半导体技术的另一个参与者
《炬丰科技-半导体工艺》 砷化镓:半导体技术的另一个参与者
《炬丰科技-半导体工艺》 砷化镓:半导体技术的另一个参与者
凭借高电子迁移率,GaAs制造的半导体器件可以在数百千兆赫的频率下工作
凭借高电子迁移率,GaAs制造的半导体器件可以在数百千兆赫的频率下工作
凭借高电子迁移率,GaAs制造的半导体器件可以在数百千兆赫的频率下工作
阅读量:142
《炬丰科技-半导体工艺》 磷化铟晶片的研磨减薄
《炬丰科技-半导体工艺》 磷化铟晶片的研磨减薄
《炬丰科技-半导体工艺》 磷化铟晶片的研磨减薄
InP晶圆,尺寸为2英寸。通过杯型金刚石轮机械研磨,直径成功研磨至100~m。该工艺首次可应用于InP光电器件的大规模生产,类似于基于晶圆旋转下进料研磨法的砷化镓器件的技术。InP研磨过程中发生...
InP晶圆,尺寸为2英寸。通过杯型金刚石轮机械研磨,直径成功研磨...
InP晶圆,尺寸为2英寸。通过杯型金刚石轮机械研磨,直径成功研磨至100~...
阅读量:127
· 中红外半导体激光器GaSb基材料的刻蚀研究
· 中红外半导体激光器GaSb基材料的刻蚀研究
· 中红外半导体激光器GaSb基材料的刻蚀研究
莫匹集团领导到冀中能源集团走访
莫匹集团领导到冀中能源集团走访
莫匹集团领导到冀中能源集团走访
阅读量:124
· 电镀基础知识
· 电镀基础知识
· 电镀基础知识
阅读量:105
1
2
3
4
5
···
>
半导体硅片市场
2021年全球半导体硅片市场规模为113亿美元。预计到2030 年将达到...
2021年全球半导体硅片市场规模为113亿美元。预计到2030 年将达到...
2021年全球半导体硅片市场规模为113亿美元。预计到2030 年将达到 150 亿美元,复合年增长率为 3.6%在预测期间(2022-2030 年)。半导体工业的一个重要组成部分是硅晶片。每个芯片制...
《炬丰科技-半导体工艺》Al₂O₃ 硬掩模的蚀刻机制
The etching of high aspect ratio str...
The etching of high aspect ratio str...
The etching of high aspect ratio structures in silicon via the Bosch process is essential in modern ...
《炬丰科技-半导体工艺》用于半导体清洗的 3 MHz 兆声波系统的有限元...
Megasonic cleaning has been used to ...
Megasonic cleaning has been used to ...
Megasonic cleaning has been used to clean contaminants from wafer surfaces in semiconductor producti...
《炬丰科技-半导体工艺》通过硅湿法蚀刻制造的一维光子晶体
Wet anisotropic etching of (1 1 0) s...
Wet anisotropic etching of (1 1 0) s...
Wet anisotropic etching of (1 1 0) silicon for the fabrication of one-dimensional photonic crystals ...
《炬丰科技-半导体工艺》微通道硅湿法刻蚀过程中化学加热的3D模拟与分析模...
We investigate chemical heating of a...
We investigate chemical heating of a...
We investigate chemical heating of a Silicon-on-Glass (SOG) chip during a highly exothermic reaction...
《炬丰科技-半导体工艺》改进CMOS-MEMS电容传感器的金属湿法刻蚀后...
This study presents a process design...
This study presents a process design...
This study presents a process design methodology to improve the performance of a CMOS-MEMS gap-closi...
《炬丰科技-半导体工艺》PVP对湿法蚀刻玻璃微通道电渗迁移率的影响
We present an experimental study on ...
We present an experimental study on ...
We present an experimental study on the effect of polymer PVP on EOF mobility of microchannels wet e...
《炬丰科技-半导体工艺》高芯片强度的湿法化学硅片减薄工艺
We proposed the wet-chemical Si wafe...
We proposed the wet-chemical Si wafe...
We proposed the wet-chemical Si wafer-thinning process and evaluated the damage caused by this proce...
《炬丰科技-半导体工艺》草酸中n-GaN电化学刻蚀工艺及其机理分析
We studied the wet electrochemical e...
We studied the wet electrochemical e...
We studied the wet electrochemical etching of n-GaN fifilms in oxalic acid. The electrooxidation pro...
《炬丰科技-半导体工艺》硅阳极的典型结构演变
Due to its high theoretical capacity...
Due to its high theoretical capacity...
Due to its high theoretical capacity, silicon is the most promising anode candidate for future lithi...
1
2
3
4
5
···
>
点击查看
炬丰数据是炬丰科技旗下的泛半导体资源整合网站,为用户提供行业数据资讯、项目资源信息整合、专业基础知识交流的泛半导体行业数据共享平台。