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  • 《炬丰科技-半导体工艺》硫酸/高锰酸盐净化工艺
    1.1在分析多氯联苯之前对样品提取物进行严格净化。当基线升高或色谱图过于...
    1.1在分析多氯联苯之前对样品提取物进行严格净化。当基线升高或色谱图过于...
    1.1在分析多氯联苯之前对样品提取物进行严格净化。当基线升高或色谱图过于复杂时，应使用此方法来进行 PCB 的准确定量。此方法不能用于净化其他目标分析物的提取物，因为它会破坏大多数有机化学物质，包括杀...
  • 《炬丰科技-半导体工艺》三元氮化物半导体的异质结
    通过分子束外延 (MBE) 和等离子体辅助活性氮自由基源生长的锌基氮化物...
    通过分子束外延 (MBE) 和等离子体辅助活性氮自由基源生长的锌基氮化物...
    通过分子束外延 (MBE) 和等离子体辅助活性氮自由基源生长的锌基氮化物 CaZn2N2 薄膜是下一代发光二极管和太阳能电池半导体的有希望的候选者。这种氮化物化合物以前仅通过超高压合成以块状形式合成。...
  • 《炬丰科技-半导体工艺》薄膜硅太阳能电池制造工艺
    摘要：高效薄膜太阳能电池需要高吸收、低缺陷的吸收层， 透明导电氧化物 (...
    摘要：高效薄膜太阳能电池需要高吸收、低缺陷的吸收层， 透明导电氧化物 (...
    摘要：高效薄膜太阳能电池需要高吸收、低缺陷的吸收层， 透明导电氧化物 (TCO) 薄膜，具有超过 80% 的高透光率和高导电性。此外，光线可以通过玻璃基板被捕获并发送到光吸收层以提高效率。本文采用HF...
  • 《炬丰科技-半导体工艺》扩散和离子注入
    扩散和离子注入是将受控量的掺杂剂引入半导体和改变导电类型的两个关键过程。...
    扩散和离子注入是将受控量的掺杂剂引入半导体和改变导电类型的两个关键过程。...
    扩散和离子注入是将受控量的掺杂剂引入半导体和改变导电类型的两个关键过程。 图 8.1这两种技术以及由此产生的掺杂剂分布。在扩散过程中，掺杂原子是通过使用掺杂氧化物源从气相中引入的。掺杂浓度从表面递减，...
  • 《炬丰科技-半导体工艺》氮化镓金属器件表面沉积技术
    综述了与金属氧化物半导体器件相关的极性氮化镓 (GaN) 表面、表面处理...
    综述了与金属氧化物半导体器件相关的极性氮化镓 (GaN) 表面、表面处理...
    综述了与金属氧化物半导体器件相关的极性氮化镓 (GaN) 表面、表面处理和栅极电介质的文献。介绍了 GaN 生长技术和生长参数对 GaN 外延层特性的重要性、使用原位和非原位工艺修改 GaN 表面特性...
  • 《炬丰科技-半导体工艺》先进封装技术的集成工艺
    先进的封装技术需要能够更好地解析与更具挑战性的设备架构相关的图案的材料，...
    先进的封装技术需要能够更好地解析与更具挑战性的设备架构相关的图案的材料，...
    先进的封装技术需要能够更好地解析与更具挑战性的设备架构相关的图案的材料，以及能够实现更高吞吐量的材料。使用具有更高灵敏度的成像材料可以增加设备吞吐量。化学放大光刻胶具有出色的灵敏度和分辨率以及良好的工...
  • 《炬丰科技-半导体工艺》晶体生长技术
    晶体生长是这样一种过程，其中随着更多生长单元（例如分子、离子）在晶格中的...
    晶体生长是这样一种过程，其中随着更多生长单元（例如分子、离子）在晶格中的...
    晶体生长是这样一种过程，其中随着更多生长单元（例如分子、离子）在晶格中的位置添加或溶液发展成晶体并进行进一步生长，预先存在的晶体变得更大。
  • 《炬丰科技-半导体工艺》等离子体浸没离子注入技术
    我们展示了通过等离子体浸入离子注入 (PIII) 形成的钝化触点开发，...
    我们展示了通过等离子体浸入离子注入 (PIII) 形成的钝化触点开发，...
    我们展示了通过等离子体浸入离子注入 (PIII) 形成的钝化触点开发，低成本接触太阳能电池的进展。PIII 是一种比传统束线注入成本更低的注入技术，因为它具有更简单的设计、更低的操作成本以及在低离子...
  • 《炬丰科技-半导体工艺》掩模电镀工艺
    使用光刻胶掩模进行电镀需要化学稳定的抗蚀剂，对基板具有出色的附着力，并且...
    使用光刻胶掩模进行电镀需要化学稳定的抗蚀剂，对基板具有出色的附着力，并且...
    使用光刻胶掩模进行电镀需要化学稳定的抗蚀剂，对基板具有出色的附着力，并且通常还需要陡峭的侧壁。除了针对电镀进行优化的抗蚀剂之外，其加工过程也对避免电镀不足以及电解液的抗蚀剂侵蚀的需求产生强烈影响。
  • 《炬丰科技-半导体工艺》湿法蚀刻和干法蚀刻区别
    当材料受到液体或蒸汽蚀刻剂的侵蚀时，它会被各向同性（在所有方向上均匀）或...
    当材料受到液体或蒸汽蚀刻剂的侵蚀时，它会被各向同性（在所有方向上均匀）或...
    当材料受到液体或蒸汽蚀刻剂的侵蚀时，它会被各向同性（在所有方向上均匀）或各向异性蚀刻（在垂直方向上均匀）去除。各向同性蚀刻和各向异性蚀刻之间的区别如图 1 所示。湿蚀刻的材料去除速率通常比许多干蚀刻工...
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